根据国务院关于印发实施《中华人民共和国促进科技成果转化法》若干规定的通知（国发〔2016〕16号）和我校《关于职务发明知识产权归属和利益分享制度试点办法》（西南石大科〔2017〕2号）等有关文件要求，现将“一种改善异质结太阳电池光电性能的方法”和“一种异质结太阳电池铜电极的无掩膜制备方法”两项专利拟转让进行公示，任何单位或个人若有异议，应当在公示时间内以真实身份书面向我单位提出。
专利一
专利类型：发明专利
专利名称：一种改善异质结太阳电池光电性能的方法
专 利 号：CN201911115377.6
申请日期：2019-11-14
授权日期：2021-05-11
专利权人：西南石油大学
发 明 人：俞健、李君君、何佳龙、李兵川、陈涛、黄跃龙
成果简介：本发明公开一种改善异质结太阳电池光电性能的方法,所述覆盖层具有表面减反射、载流子传导、电极选择性沉积掩膜之功能,步骤如下:(a)制备异质结太阳电池衬底;(b)沉积金属种子层栅极;(c)非栅极区域沉积覆盖层;(d)烘干覆盖层;(e)栅极区域电化学沉积金属电极;(f)覆盖层后处理;(g)烘干覆盖层。本发明所述之方法,能显著降低电化学沉积金属电极工艺复杂性,所用之聚合物覆盖层,处理后光电性能显著提高,亦可作为异质结太阳电池的透明导电薄膜,此方法既避免了常规异质结太阳电池电化学沉积电极去除掩膜的工艺,也可少用或不用透明导电薄膜,有利于提高异质结太阳电池转换效率、降低生产成本,在工业化生产中优势显著。
专利二
专利类型：发明专利
专利名称：一种异质结太阳电池铜电极的无掩膜制备方法
专 利 号：CN202110291110.8
申请日期：2021-03-18
授权日期：2022-02-22
专利权人：西南石油大学
发 明 人：俞健、李君君、陈涛、黄跃龙
成果简介：本发明公开了一种异质结太阳电池铜电极的无掩膜制备方法，包括如下步骤：制备异质结电池基底，并在异质结电池基底两面上均沉积透明导电薄膜，异质结电池基底的P侧制备金属栅线，N侧浸入溶液中作为负极，P侧金属栅线与铂电极相连作为正极；通过激光辅助制备铟层金属种子层；通过化学镀的方式在所形成的金属种子层上制备金属粘合层；通过双极性脉冲电镀的方式在所形成的金属粘合层上制备金属传导层；本发明未采用任何掩膜图形就可实现金属电极的制备，能显著降低工艺复杂性，通过激光辅助的方法形成种子层，避免了掩膜去除及全面积种子层的腐蚀过程，亦可降低界面接触电阻，改善异质结电池的性能，实现高效、低成本的目的。
转化方式：转让
定价方式：协议定价
转让价格：20万元
受 让 方：湖州市鹑火光电有限公司
公 示 期：2023年2月27日至2023年3月13日
联 系 人：包老师
联系电话：028-83032096
